无线电电子学论文_InP HEMT外延结构材料抗电子 - 电子设计工程杂志社投稿

一、来稿必须是作者独立取得的原创性学术研究成果，来稿的文字复制比（相似度或重复率）必须低于用稿标准，引用部分文字的要在参考文献中注明；署名和作者单位无误，未曾以任何形式用任何文种在国内外公开发表过；未一稿多投。二、来稿除文中特别加以标注和致谢之外，不侵犯任何版权或损害第三方的任何其他权利。如果20天后未收到本刊的录用通知，可自行处理(双方另有约定的除外)。三、来稿经审阅通过，编辑部会将修改意见反馈给您，您应在收到通知7天内提交修改稿。作者享有引用和复制该文的权利及著作权法的其它权利。四、一般来说，4500字（电脑WORD统计，图表另计）以下的文章，不能说清问题，很难保证学术质量，本刊恕不受理。五、论文格式及要素：标题、作者、工作单位全称(院系处室)、摘要、关键词、正文、注释、参考文献(遵从国家标准：GB\T7714-2005，点击查看参考文献格式示例)、作者简介(100字内)、联系方式(通信地址、邮编、电话、电子信箱)。六、处理流程：（1）通过电子邮件将稿件发到我刊唯一投稿信箱（2）我刊初审周期为2－3个工作日，请在投稿3天后查看您的邮箱，收阅我们的审稿回复或用稿通知；若30天内没有收到我们的回复，稿件可自行处理。（3）按用稿通知上的要求办理相关手续后，稿件将进入出版程序。（4）杂志出刊后，我们会按照您提供的地址免费奉寄样刊。七、凡向文教资料杂志社投稿者均被视为接受如下声明：（1）稿件必须是作者本人独立完成的，属原创作品（包括翻译），杜绝抄袭行为，严禁学术腐败现象，严格学术不端检测，如发现系抄袭作品并由此引起的一切责任均由作者本人承担，本刊不承担任何民事连带责任。（2）本刊发表的所有文章，除另有说明外，只代表作者本人的观点，不代表本刊观点。由此引发的任何纠纷和争议本刊不受任何牵连。（3）本刊拥有自主编辑权，但仅限于不违背作者原意的技术性调整。如必须进行重大改动的，编辑部有义务告知作者，或由作者授权编辑修改，或提出意见由作者自己修改。（4）作品在《文教资料》发表后，作者同意其电子版同时发布在文教资料杂志社官方网上。（5）作者同意将其拥有的对其论文的汇编权、翻译权、印刷版和电子版的复制权、网络传播权、发行权等权利在世界范围内无限期转让给《文教资料》杂志社。本刊在与国内外文献数据库或检索系统进行交流合作时，不再征询作者意见，并且不再支付稿酬。九、特别欢迎用电子文档投稿，或邮寄编辑部,勿邮寄私人，以免延误稿件处理时间。

无线电电子学论文_InP HEMT外延结构材料抗电子

作者:

关键词:

摘要：

文章摘要:为研究磷化铟高电子迁移率晶体管（InP HEMT）外延结构材料的抗电子辐照加固设计，本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料，针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验，辐照注量为2×10¹⁵cm^-2，并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气（2DEG）辐照前后的电学特性，获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律，分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与外延结构参数（如Si-δ掺杂浓度、InGaAs 沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数）依赖的关系。结果表明: Si-δ掺杂浓度越大，隔离层厚度较薄，InGaAs 沟道厚度较大，沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低，具有更强的抗电子辐照能力。经分析原因如下: 1)电子束与材料晶格发生能量传递，破坏晶格完整性，且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷，增加复合中心密度，散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低. 2) 高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度，降低二维电子气受辐射损伤的影响. 3)高In组分应变沟道有利于提高二维电子气迁移率，但辐照后更容易应变弛豫产生位错缺陷，导致二维电子气迁移率显著下降。

文章关键词:

项目基金:《电子设计工程》网址: http://www.dzsjgc.cn/qikandaodu/2021/1104/1561.html